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产品与服务
三菱电机半导体产品包括功率模块(IGBT、IPM、MOSFET等)、微波/射频和高频光器件、光模块、和标准工业用的TFT LCD等产品,其中功率模块在电机控制、电源和白色家电的应用中有助于您实现变频、节能和环保的需求;光器件和光模块产品将为您在各种模拟/数字通讯、有 线/无线通讯等应用中提供解决方案;而TFT LCD主要用于银行金融系统的ATM,税控机,医疗仪器,车载,工业自动化等领域。
IPM(Intelligent Power Module,智能功率模块)搭载能够更好发挥IGBT芯片性能的专用驱动电路,是集自我保护(短路、控制电源电压下降、过热)功能于一体的专用IC化高性能模块。 配合IGBT芯片的升级,公司也推出了各种系列的IPM产品。 除了主力产品“L1系列”、“V1系列”和“S1系列”以外,公司产品阵容中的新成员还有“G1系列”,该系列产品功率损耗更少,性能更高,体积更小。
IGBT模块 概要 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)模块是所有工业设备变频化必需的元器件,从20世纪90年代产品化开始,该产品就向着大电流、耐高压方向发展。此外,其产品芯片结构从平面栅极结构发展为沟槽栅极结构,并且凭借CSTBT™M结构(本公司运用载流子储存效应独家研发的IGBT),满足了工业设备低损耗、小型化的要求。从第5代IGBT开始,本公司产品阵营除了包含传统外观的标准(std)型产品,还增加了薄型外观(NX型)的复合型*1产品。 除此以外,公司产品线中的新成员还有S系列(第6代IGBT)和功率损耗更低且尺寸更小的T/T1系列(第7代IGBT)产品。
在要求快速转换和电压驱动及低损耗的功率器件中,MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)在低电流、低耐压领域具有良好业绩。通过采用基于亚微米技术的沟槽闸门构造,和平面型相比显著推进了低接通电阻(漏极电流在漏极和源极间流动领域的电阻值)化。
商用频率整流的一般整流用二极管模块、换流器电路的回流(自由轮)二极管用和冲击电压吸收电路(减震器)用的快速转换用高频二极管模块。 换流器的主要转换器件正从双极晶体管向IGBT等高速MOS门脉冲元件过渡,此外,从无线电噪音限制等观点出发,不仅是反向恢复特性(恢复),软性恢复特性正成为主流。
通过将脉冲电流流通到栅电流来接通的晶闸管模块。 但由于晶闸管采用锁定法,只要有一定值以上的持续电流(保持电流),就是处于接通状态的半导体。 在直流电路中,为了关闭需要低于保持电流,或用整流电路施加反向电压。在交流电路中,交流反向时将因低于保持电流而关闭,因此需要随时向正方向的栅电流施加脉冲电流。