采用CSTBTTM硅片技术，饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15%内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小模块内部寄生电感小功率循环能力显著改善。 应用于高性能变频传动装置，如矢量控制变频器、伺服驱动器等。

用户搭配：

软件和功率驱动部分，是逆变系统的重要组成部分，往往占用工程师很多的时间。为了让工程师们集中更多的时间精力去研究软件数据结构，外形工艺，等工作我们为了让工程师们减轻繁重的工作设计了诸如驱动电源，控制板等成熟产品。