小功率IGBT可以用各式各样的驱动芯片，带保护功能的，基本上来说没有特殊要求的话，都能够满足需求，配一个合适的G极驱动电阻，以及防止静电电荷等引起开关管误通的DS并联电阻。然后了解一下驱动芯片的驱动信号输出级，一般推挽输出，为了加速MOS的关断可以给驱动电阻反并联一个二极管，二极管一般根据你的开关频率选择，反向恢复时间注意一下就好。大功率情况下的话，有驱动模块，这是最简便的方法。还有用于驱动的变压器，X宝上面貌似就现成的产品，根据需要的驱动功率选择即可。这里面的话，如果驱动部分驱动功率过小，米勒效应就会比较明显，一旦出现基本上选用驱动功率足够的驱动即可解决。

        驱动的设计也并非易事。首先，根据开关频率，以及管子的Qg大小，选择合适的驱动电流， 初学者以为MOSFET是电压驱动的，不需要电流，其实想要快速导通，是需要大电流的。 当然，频率越高，Qg越大，你所需要的驱动电流就越大。还有根据你管子的导通关断延时的差异性，选择合适的死区时间，有些驱动芯片死区是固定的，有些是可以根据需要自己调整。还有就是芯片自身也有频率限制，倘若频率太高，也要选择相应的高频驱动芯片。如果需要隔离，你还要选择隔离驱动，有光耦隔离，变压器隔离，高频有RF隔离。倘若不需要隔离，根据你的拓扑。若是低端驱动就很简单了。倘若是半桥，你可以根据需要选择浮栅驱动，但是一定要注意自举二极管的耐压，以及速度。浮栅驱动的第一个占空比都是会丢失的，有时候对控制会带来影响。还有为了防止在驱动的时候G级波形的震荡，你还要加适当的Rg，这个电阻通常是要选择功率电阻，有时候得用三极管和二极管搭放电回路。为了防止影响开关的速度，你还不可以把Rg选得太大，还有布线的时候尽量让G级靠近驱动芯片，减小布线带来的引线电感，对减小震荡有帮助。频率高的时候还要注意你的驱动散热，不要让芯片温度太高了，会影响性能。