Support
服务支持
怎样选择IGBT续流二极管?
lGBT续流二极管一般应选择快速类型的二极管，并且具有良好的软恢复特性。
1.参数选择IGBT续流二极管在参数选择上主要体现是对换流速度、正向通态压降 VF、反向阻断电压VR,反向恢复时间trr、可重复正向峰值电压VFRM、反向峰值电流IRRM等的选择。
反向阻断电压VR一般是提供25℃条件下的数值，IGBT续流二极管具有随着温度降低，反向阻断能力下降，漏电流也下降的特点。因此，选择反向阻断电压VR需要考虑温度这一影响因素。另外，反向阻断电压VR下的漏电流不得超过临界电流IR。
IGBT续流二极管的正向通态压降 VF也受温度影响，选择IGBT时也需要考虑这一因素。
(2)种类的选择 IGBT续流二极管一般选择高频率的、快速功率型二极管。肖特基二极管一般用于电压小于100V的情况下。因此，主要用于MOSFET。外延生长式二极管一般用于电压范围为100 ~1200V的情况下，因此，可以选择作为IGBT续流二极管。
1.参数选择IGBT续流二极管在参数选择上主要体现是对换流速度、正向通态压降 VF、反向阻断电压VR,反向恢复时间trr、可重复正向峰值电压VFRM、反向峰值电流IRRM等的选择。
反向阻断电压VR一般是提供25℃条件下的数值，IGBT续流二极管具有随着温度降低，反向阻断能力下降，漏电流也下降的特点。因此，选择反向阻断电压VR需要考虑温度这一影响因素。另外，反向阻断电压VR下的漏电流不得超过临界电流IR。
IGBT续流二极管的正向通态压降 VF也受温度影响，选择IGBT时也需要考虑这一因素。
(2)种类的选择 IGBT续流二极管一般选择高频率的、快速功率型二极管。肖特基二极管一般用于电压小于100V的情况下。因此，主要用于MOSFET。外延生长式二极管一般用于电压范围为100 ~1200V的情况下，因此，可以选择作为IGBT续流二极管。
